英特尔积极进军三星大本营 在韩国极力推销18A工艺
日前根据韩媒的英特营韩最新报道，英特尔正在积极向韩国的尔积无晶圆厂芯片公司推广其自家的 Intel 18A 工艺节点。
消息来源显示，极进军星欧易英特尔首席执行官帕特·基辛格去年会见了多位韩国公司的大本高级管理人员，并向他们介绍了英特尔芯片代工厂计划的国极工艺最新情况。
报道指出，力推英特尔正在大力推销其 18A 工艺节点，英特营韩并承诺提供各种激励措施。尔积本周三，极进军星英特尔发布了其 14A 工艺节点（相当于 1.4 纳米）路线图，大本欧易并表示采用该节点制造的国极工艺芯片将于 2027 年投入量产。迄今为止，力推该公司已获得约 1080 亿元人民币（约合 150 亿美元）的英特营韩订单。
此外，尔积英特尔重申到 2030 年将成为第二大代工供应商，极进军星这意味着它的目标是超越目前排名第二的三星和市场领导者台积电。据了解，在 3nm 工艺中采用全栅极（GAA）技术的三星计划首先开发适用于移动设备和汽车等领域的芯片。
另一方面，台积电和英特尔正在为其 3 纳米芯片选择 FinFET 结构。随着全球对先进制程技术的需求不断增长，这些公司都在努力提高自己的技术水平以保持竞争优势。
本文地址：http://ifig.ho2f5.cn/html/6d0099993.html
版权声明
本文仅代表作者观点，不代表本站立场。
本文系作者授权发表，未经许可，不得转载。